產(chǎn)品詳情

HG-C CMOS型微型激光位移傳感器 HG-C1400

產(chǎn)品系列：	HG-C CMOS型微型激光位移傳感器
型號(hào)：	HG-C1400
品牌：	松下
產(chǎn) 地：	蘇州
狀態(tài)：	在產(chǎn)

參數(shù)詳情

項(xiàng)目	內(nèi)容
訂貨產(chǎn)品號(hào)	HG-C1400
型號(hào)	HG-C1400
適用標(biāo)準(zhǔn)及認(rèn)證	CE認(rèn)證（EMC指令、RoHS指令）、UKCA標(biāo)志(EMC標(biāo)準(zhǔn)、RoHS標(biāo)準(zhǔn))、FDA規(guī)則、UL/c-UL認(rèn)證（注）:自2017年3月生產(chǎn)的產(chǎn)品開始符合UL/c-UL認(rèn)證。
測(cè)量中心距離	400mm
測(cè)量范圍	±200mm
重復(fù)精度	300μm(測(cè)量距離200～400mm) 800μm(測(cè)量距離400～600mm)
直線性	±0.2%F.S.(測(cè)量距離200～400mm) ±0.3%F.S.(測(cè)量距離400～600mm)
溫度特性	0.03% F.S./℃
光源	紅色半導(dǎo)體激光 2級(jí)[JIS/IEC/GB/FDA(注)] 最大輸出: 1mW 投光波峰波長: 655nm (注): 根據(jù)FDA規(guī)則中Laser Notice No.50規(guī)定, 并以FDA為準(zhǔn)。
光束直徑	約?500μm (注): 測(cè)量中心距離的大小。按照中心光強(qiáng)度的1/e²(約13.5%)定義。如果定義區(qū)域外有漏光, 并且檢測(cè)點(diǎn)范圍有高于檢測(cè)點(diǎn)本身的強(qiáng)反射, 測(cè)定結(jié)果可能會(huì)受到影響。
電源電壓	12～24V DC±10%　脈動(dòng)P-P10%以下
消耗電流	40mA以下(電源電壓24V DC時(shí)) 65mA以下(電源電壓12V DC時(shí)) (注) : 從2016年6月生產(chǎn)的產(chǎn)品開始進(jìn)行規(guī)格變更。2016年5月前生產(chǎn)的產(chǎn)品： 40mA以下(電源電壓24V DC時(shí))、60mA以下(電源電壓12V DC時(shí))
控制輸出	NPN開路集電極晶體管 ?最大流入電流: 50mA ?外加電壓: 30V DC以下(控制輸出-0V之間) ?剩余電壓: 1.5V以下(流入電流50mA時(shí)) ?漏電流: 0.1mA以下
控制輸出:輸出動(dòng)作	入光時(shí)ON/非入光時(shí)ON　可切換
控制輸出:短路保護(hù)	配備(自動(dòng)恢復(fù))
模擬輸出 : 模擬量電壓輸出	?輸出范圍：0～5V(報(bào)警時(shí)：+5.2V) ?輸出阻抗：100Ω
模擬輸出 : 模擬電流輸出	?輸出范圍：4～20mA(報(bào)警時(shí)：0mA) ?輸出阻抗：300Ω (注) : 從2016年6月生產(chǎn)的產(chǎn)品開始追加了模擬電流輸出功能。
響應(yīng)時(shí)間	1.5ms/5ms/10ms 可切換
外部輸入	NPN無接點(diǎn)輸入 ?輸入條件無效: +8～+V DC或開路有效: 0～+1.2V DC ?輸入阻抗: 約10kΩ
污損度	2
使用標(biāo)高	2,000m以下
耐環(huán)境性:保護(hù)構(gòu)造	IP67(IEC)
耐環(huán)境性:使用環(huán)境溫度	-10～+45℃(注意不可結(jié)露, 結(jié)冰), 儲(chǔ)存時(shí): -20～+60℃
耐環(huán)境性:使用環(huán)境濕度	35%RH～85%RH, 儲(chǔ)存時(shí): 35%RH～85%RH
耐環(huán)境性:使用環(huán)境照度	白熾燈: 受光面照度3,000 lx以下
耐環(huán)境性:耐振動(dòng)	耐久10～55Hz(周期1分鐘) 雙振幅1.5mm XYZ各方向2小時(shí)
耐環(huán)境性:耐沖擊	耐久500m/s²(約50G) XYZ各方向3次
電纜	0.2mm² 5芯復(fù)合電纜, 長2m
電纜延長	0.3mm²以上電纜　最多延長至全長10m
材質(zhì)	本體外殼: 壓鑄鋁前罩: 丙烯基
重量	本體重量: 約35g(不含電纜), 約85g(含電纜)